黑碳化硅的結晶介紹

　　黑碳化硅的結晶是在高溫作用下凝聚，并形成的燒結體的現象，在不同的領域可制成合適的制品，擁有較好的力學性能和使用壽命。
　　黑碳化硅主要由4H變體組成的。碳化硅中的硅原子處于中心，周圍是碳，各種碳化硅晶體的單位晶胞均由相同硅碳四面體構成。構成每個單位晶胞的固體的層數及各層的相對位置不同，就形成了不同類型的碳化硅。
　　黑碳化硅是一種優良的半導體材料，并且具有良好的非線性導電特性。這一特性使得碳化硅在防電暈等方面有重要應用。由于碳化硅中包含N、P、As、Sb 等五價雜質，五價雜質包含五個價電子，進入具有四個價電子的碳化硅晶格時，這些雜質就有多余的電子。這些五價雜質能放出的電子，稱之為施主雜質，所形成的碳化硅具有電子導電性質，叫n型半導體。
　　而當硅過量時，由于硅有部分放出電子的能力，也使黑碳化硅變成n型半導體。n型碳化硅具有較高的電阻率和較大的電阻溫度系數。當n型半導體中摻雜濃度較大時，電阻率下降非線性變得很差。就不同變體碳化硅而言，碳化硅的電阻率隨6H型變體增加而提高。
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